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参数目录39598
> NVTFS5116PLTWG MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
型号:
NVTFS5116PLTWG
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NVTFS5116PLTWG PDF
标准包装
5,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
52 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1258pF @ 25V
功率 - 最大
3.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-WDFN(3.3x3.3)
包装
带卷 (TR)
查看NVTFS5116PLTWG代理商
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